Общие
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | Устаревший |
| Transistor Type | NPN |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | Устаревший |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 18V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4.5A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 5V |
| Power - Max | 80W |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Gain | 15dB |
| Package / Case | M113 |
|---|---|
| Корпус производителя | M113 |
| Рабочая температура | 200°C (TJ) |
|---|