Общие
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.5dB @ 450MHz |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | Устаревший |
| Transistor Type | NPN |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | 4GHz |
| Gain | 6.5dB ~ 10.5dB |
Механические
| Package / Case | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-72 |
Среда
| Рабочая температура | 200°C (TJ) |
|---|