Общие
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | Устаревший |
| Transistor Type | NPN |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 500mA, 5V |
| Power - Max | 350W |
| Frequency - Transition | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Gain | 10dB |
Механические
| Package / Case | 55AW |
|---|---|
| Корпус производителя | 55AW |
Среда
| Рабочая температура | 200°C (TJ) |
|---|