Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 26A, 12V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 12 V |
| Производитель | Microsemi Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | Military, MIL-PRF-19500/603 |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 150W (Tc) |
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| Корпус производителя | TO-254AA |
| Рабочая температура | -55°C~150°C |
|---|