APTSM120AM55CT1AG

Microsemi Corporation

APTSM120AM55CT1AG

Аналоговые и силовые компоненты

SIC 2N-CH 1200V 74A SP1

В производствеSP1Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 40A, 20V
Базовый Part NumberAPTSM120
Конфигурация2 N-Channel (Dual), Schottky
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs272nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5120pF @ 1000V
ПроизводительMicrosemi Corporation
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
ТехнологияSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 2mA

Электрические

Напряжение сток-исток1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C74A (Tc)
Power - Max470W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseSP1
Корпус производителяSP1

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)