Общие
| Channel Type | Independent |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | IGBT |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Производитель | Microsemi Corporation |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Obsolete |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 8A, 8A |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 1200 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 2V |
| Напряжение питания | 14.5V ~ 15.5V |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|
Среда
| Рабочая температура | -40°C~85°C(TA) |
|---|