APTM60A23FT1G

Microsemi Corporation

APTM60A23FT1G

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1

УстаревшийSP1Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs276mOhm @ 17A, 10V
Базовый Part NumberAPTM60
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs165nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5316pF @ 25V
ПроизводительMicrosemi Corporation
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A
Power - Max208W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseSP1
Корпус производителяSP1

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)