Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 81.5A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 492 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22400 pF @ 25 V |
| Производитель | Microsemi Corporation |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Product Status | Discontinued at |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Напряжение сток-исток | 500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 163A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1136W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | J3 Module |
| Корпус производителя | Module |
| Рабочая температура | -40°C~150°C(TJ) |
|---|