APTM20DUM10TG

Microsemi Corporation

APTM20DUM10TG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4

УстаревшийSP4Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 87.5A, 10V
Базовый Part NumberAPTM20
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs224nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13700pF @ 25V
ПроизводительMicrosemi Corporation
Тип монтажаChassis Mount
УпаковкаBulk
Статус позицииУстаревший
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 5mA

Электрические

Напряжение сток-исток200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C175A
Power - Max694W

Механические

Package / CaseSP4
Корпус производителяSP4

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)