APTM100A12STG

Microsemi Corporation

APTM100A12STG

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 1000V 68A SP3

Снят с производстваSP3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 34A, 10V
Базовый Part NumberAPTM100
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs616nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds17400pF @ 25V
ПроизводительMicrosemi Corporation
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusDiscontinued at
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 10mA

Электрические

Напряжение сток-исток1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C68A
Power - Max1250W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseSP3
Корпус производителяSP3

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)