Запросить цену
Главная/Продукты/Дискретные полупроводники/Транзисторы - IGBTs - Модули/APTGV50H60BT3G
APTGV50H60BT3G

Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3

В производствеSP3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberAPTGV50
КонфигурацияBoost Chopper, Full Bridge
IGBT TypeNPT, Trench Field Stop
InputStandard
Input Capacitance (Cies) @ Vce2.2 nF @ 25 V
ПроизводительMicrosemi Corporation
Тип монтажаChassis Mount
NTC ThermistorYes
Product StatusActive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 50A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)65 A
Current - Collector Cutoff (Max)250 µA
Power - Max250 W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseSP3
Корпус производителяSP3

Похожие компоненты

Похожие компоненты по семейству APTGV50H60BT3G, производителю или категории.

Требует проверки

Похожие компоненты для этой позиции пока недоступны.