APTGT75A170D1G

Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1

УстаревшийD1Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

КонфигурацияHalf Bridge
IGBT TypeTrench Field Stop
InputStandard
Input Capacitance (Cies) @ Vce6.5 nF @ 25 V
ПроизводительMicrosemi Corporation
Тип монтажаChassis Mount
NTC ThermistorNo
УпаковкаBulk
Статус позицииУстаревший
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 75A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1700 V
Current - Collector (Ic) (Max)120 A
Current - Collector Cutoff (Max)5 mA
Power - Max520 W

Механические

Package / CaseD1
Корпус производителяD1