APTC90DAM60CT1G

Microsemi Corporation

APTC90DAM60CT1G

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

УстаревшийSP1Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 52A, 10V
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13600 pF @ 100 V
ПроизводительMicrosemi Corporation
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusObsolete
СерияCoolMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 6mA

Электрические

Напряжение сток-исток900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C59A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность462W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseSP1
Корпус производителяSP1

Среда

Рабочая температура-40°C~150°C(TJ)