Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 72A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 518 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14000 pF @ 25 V |
| Производитель | Microsemi Corporation |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5.4mA |
| Напряжение сток-исток | 600 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 72A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 416W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | SP1 |
| Корпус производителя | SP1 |
| Рабочая температура | -40°C~150°C(TJ) |
|---|