Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 20A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 700 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14000 pF @ 25 V |
| Производитель | Microsemi Corporation |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Tray |
| Статус позиции | Устаревший |
| Серия | POWER MOS IV® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |