Запросить цену
Главная/Продукты/Дискретные полупроводники/Транзисторы - IGBTs - Одиночные/APT75GN60B2DQ3G
APT75GN60B2DQ3G

Microsemi Corporation

APT75GN60B2DQ3G

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT 600V 155A 536W TO264

УстаревшийTO-264-3, TO-264AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberAPT75GN60
Gate Charge485 nC
Тип входаStandard
ПроизводительMicrosemi Corporation
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
Switching Energy2500µJ (on), 2140µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C47ns/385ns
Test Condition400V, 75A, 1Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 75A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)155 A
Current - Collector Pulsed (Icm)225 A
Power - Max536 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA

Похожие компоненты

Похожие компоненты по семейству APT75GN60B2DQ3G, производителю или категории.

Требует проверки

Похожие компоненты для этой позиции пока недоступны.