INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | APT70GR65 |
|---|---|
| Gate Charge | 305 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Производитель | Microsemi Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Td (on/off) @ 25°C | 19ns/170ns |
| Test Condition | 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 70A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 134 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 260 A |
| Power - Max | 595 W |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Корпус производителя | T-MAX™ [B2] |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|