Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 22.5A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7200 pF @ 25 V |
| Производитель | Microsemi Corporation |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | Устаревший |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA |
| Напряжение сток-исток | 600 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 290W (Tc) |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
|---|---|
| Корпус производителя | SOT-227 |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
|---|