APT50M80B2VRG

Name: APT50M80B2VRG
Brand: Microsemi Corporation

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX

УстаревшийTO-247-3 VariantАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 29A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	423 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8797 pF @ 25 V
Производитель	Microsemi Corporation
Тип монтажа	Through Hole
Product Status	Obsolete
Серия	POWER MOS V®
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA

Напряжение сток-исток	500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	58A (Tc)