Общие
| Capacitance @ Vr, F | 2100pF @ 0V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Microsemi Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | Устаревший |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 30 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 99A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 600 µA @ 1200 V |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Механические
| Package / Case | TO-247-2 |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-247 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|