Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | APT11G |
|---|---|
| Gate Charge | 65 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | Microsemi Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Switching Energy | 300µJ (on), 285µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 7ns/100ns |
| Test Condition | 800V, 8A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 44 A |
| Power - Max | 156 W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Корпус производителя | TO-220 [K] |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|