Общие
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | Устаревший |
| Transistor Type | NPN |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | Устаревший |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
| Power - Max | 1 W |
| Package / Case | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-5AA |
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|