Общие
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 30mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 400 mW |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Корпус производителя | UB |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|