Общие
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V |
| Power - Max | 140W |
| Frequency - Transition | 100MHz ~ 500MHz |
| Gain | 8.5dB ~ 10dB |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 55JT |
| Корпус производителя | 55JT |
Среда
| Рабочая температура | 200°C (TJ) |
|---|