NAND512R3A2SE06

Micron Technology Inc

NAND512R3A2SE06

Память и хранение данных

IC FLASH 512MBIT PARALLEL

УстаревшийПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияFLASH - NAND
Время доступа50 ns
Базовый Part NumberNAND512
ПроизводительMicron Technology Inc.
Product StatusObsolete
Время цикла записи50ns

Электрические

Объем памяти512Mbit
Формат памятиFLASH
Memory InterfaceParallel
Напряжение питания1.7V ~ 1.95V
Memory Organization64M x 8

Механические

КорпусBulk

Среда

Рабочая температура-40°C~85°C(TA)