MT54V512H18EF-6C

Micron Technology Inc

MT54V512H18EF-6C

Память и хранение данных

IC SRAM 9MBIT HSTL 165FBGA

В производстве165-TBGAПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиVolatile
ТехнологияSRAM - Synchronous
Время доступа2.5 ns
ПроизводительMicron Technology Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияQDR™

Электрические

Объем памяти9Mbit
Формат памятиSRAM
Memory InterfaceHSTL
Тактовая частота167 MHz
Напряжение питания2.4V ~ 2.6V
Memory Organization512K x 18

Механические

КорпусBulk
Package / Case165-TBGA
Корпус производителя165-FBGA (13x15)

Среда

Рабочая температура0°C~70°C(TA)