MT54V512H18EF-10

Micron Technology Inc

MT54V512H18EF-10

Память и хранение данных

IC SRAM 9MBIT PAR 165FBGA

В производстве165-TBGAПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памяти	Volatile
Технология	SRAM - Quad Port, Synchronous
Базовый Part Number	MT54V512
Производитель	Micron Technology Inc.
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Серия	QDR™

Электрические

Объем памяти	9Mbit
Формат памяти	SRAM
Memory Interface	Parallel
Тактовая частота	100 MHz
Напряжение питания	2.4V ~ 2.6V
Memory Organization	512K x 18

Механические

Корпус	Bulk
Package / Case	165-TBGA
Корпус производителя	165-FBGA (13x15)

Среда

Рабочая температура	0°C~70°C(TA)