Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SRAM - Synchronous |
| Время доступа | 3 ns |
| Производитель | Micron Technology Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | QDR® |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 9Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | SRAM |
| Memory Interface | HSTL |
| Тактовая частота | 133 MHz |
| Напряжение питания | 2.4V ~ 2.6V |
| Memory Organization | 512K x 18 |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 165-TBGA |
| Корпус производителя | 165-FBGA (13x15) |
Среда
| Рабочая температура | -20°C~110°C(TJ) |
|---|