MT53E768M64D4HJ-046 AAT:C

Micron Technology Inc

MT53E768M64D4HJ-046 AAT:C

Память и хранение данных

IC DRAM

В производстве556-TFBGAПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиVolatile
ТехнологияSDRAM - Mobile LPDDR4
Время доступа3.5 ns
ПроизводительMicron Technology Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q100
Время цикла записи18ns

Электрические

Объем памяти48Gbit
Формат памятиDRAM
Memory InterfaceParallel
Тактовая частота2.133 GHz
Напряжение питания1.06V ~ 1.17V
Memory Organization768M x 64

Механические

КорпусTray
Package / Case556-TFBGA
Корпус производителя556-WFBGA (12.4x12.4)

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 105°C (TC)