Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Время доступа | 3.5 ns |
| Базовый Part Number | MT53E512 |
| Производитель | Micron Technology Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 18ns |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Время доступа | 3.5 ns |
| Базовый Part Number | MT53E512 |
| Производитель | Micron Technology Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 18ns |
| Объем памяти | 32Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 2.133 GHz |
| Напряжение питания | 1.06V ~ 1.17V |
| Memory Organization | 512M x 64 |
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 556-TFBGA |
| Корпус производителя | 556-TFBGA (12.4x12.4) |
| Рабочая температура | -25°C~85°C(TC) |
|---|