Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Время доступа | 3.5 ns |
| Производитель | Micron Technology Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | Automotive, AEC-Q100 |
| Время цикла записи | 18ns |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 16Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 2.133 GHz |
| Напряжение питания | 1.06V ~ 1.17V |
| Memory Organization | 512M x 32 |
Механические
| Корпус | Box |
|---|---|
| Package / Case | 200-TFBGA |
| Корпус производителя | 200-TFBGA (10x14.5) |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C (TC) |
|---|