Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Время доступа | 3.5 ns |
| Производитель | Micron Technology Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Box |
| Статус позиции | В производстве |
| Время цикла записи | 18ns |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 64Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 2.133 GHz |
| Напряжение питания | 1.06V ~ 1.17V |
| Memory Organization | 1G x 64 |
Механические
| Package / Case | 556-TFBGA |
|---|
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Qualification | AEC-Q100 |