MT47R512M4EB-25E:C

Micron Technology Inc

MT47R512M4EB-25E:C

Память и хранение данных

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA

Снят с производства60-TFBGAПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиVolatile
ТехнологияSDRAM - DDR2
Время доступа400 ps
Базовый Part NumberMT47R512M4
ПроизводительMicron Technology Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
Время цикла записи15ns

Электрические

Объем памяти2Gbit
Формат памятиDRAM
Memory InterfaceParallel
Тактовая частота400 MHz
Напряжение питания1.55V ~ 1.9V
Memory Organization512M x 4

Механические

КорпусTray
Package / Case60-TFBGA
Корпус производителя60-FBGA (9x11.5)

Среда

Рабочая температура0°C~85°C(TC)