MT47H512M4EB-25E:C

Micron Technology Inc

MT47H512M4EB-25E:C

Память и хранение данных

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA

Устаревший60-TFBGAПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиVolatile
ТехнологияSDRAM - DDR2
Время доступа400 ps
Базовый Part NumberMT47H512M4
ПроизводительMicron Technology Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
Время цикла записи15ns

Электрические

Объем памяти2Gbit
Формат памятиDRAM
Memory InterfaceParallel
Тактовая частота400 MHz
Напряжение питания1.7V ~ 1.9V
Memory Organization512M x 4

Механические

КорпусTray
Package / Case60-TFBGA
Корпус производителя60-FBGA (9x11.5)

Среда

Рабочая температура0°C ~ 85°C (TC)