Общие
| Тип памяти | Non-Volatile, Volatile |
|---|---|
| Технология | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Базовый Part Number | MT29RZ4C8 |
| Производитель | Micron Technology Inc. |
| Product Status | Obsolete |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDDR2) |
|---|---|
| Формат памяти | FLASH, RAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 533 MHz |
| Напряжение питания | 1.8V |
| Memory Organization | 256M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDDR2) |
Механические
| Корпус | Tray |
|---|
Среда
| Рабочая температура | -25°C~85°C(TA) |
|---|