MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

Micron Technology Inc

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

Память и хранение данных

IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA

Устаревший162-VFBGAПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile, Volatile
ТехнологияFLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Базовый Part NumberMT29RZ4B2
ПроизводительMicron Technology Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete

Электрические

Объем памяти4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2)
Формат памятиFLASH, RAM
Memory InterfaceParallel
Тактовая частота533 MHz
Напряжение питания1.8V
Memory Organization512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2)

Механические

КорпусTray
Package / Case162-VFBGA
Корпус производителя162-VFBGA (11.5x13)

Среда

Рабочая температура-25°C ~ 85°C (TA)