MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R

Micron Technology Inc

MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R

Память и хранение данных

IC FLASH 512GBIT PARALLEL DIE

УстаревшийDieПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияFLASH - NAND (TLC)
Базовый Part NumberMT29F512G08
ПроизводительMicron Technology Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete

Электрические

Объем памяти512Gbit
Формат памятиFLASH
Memory InterfaceParallel
Напряжение питания2.5V ~ 3.6V
Memory Organization64G x 8

Механические

КорпусBulk
Package / CaseDie
Корпус производителяDie

Среда

Рабочая температура0°C~70°C