MT29F4G08ABBEAM70M3WC1

Micron Technology Inc

MT29F4G08ABBEAM70M3WC1

Память и хранение данных

IC FLASH 4GBIT PARALLEL DIE

УстаревшийDieПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияFLASH - NAND
Базовый Part NumberMT29F4G08
ПроизводительMicron Technology Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete

Электрические

Объем памяти4Gbit
Формат памятиFLASH
Memory InterfaceParallel
Напряжение питания1.7V ~ 1.95V
Memory Organization512M x 8

Механические

КорпусBulk
Package / CaseDie
Корпус производителяDie

Среда

Рабочая температура0°C~70°C(TA)