MT29F4G08ABAFAM70A3WC1

Micron Technology Inc

MT29F4G08ABAFAM70A3WC1

Память и хранение данных

IC FLASH 4GBIT PARALLEL DIE

В производствеDieПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияFLASH - NAND (SLC)
Базовый Part NumberMT29F4G08
ПроизводительMicron Technology Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive

Электрические

Объем памяти4Gbit
Формат памятиFLASH
Memory InterfaceParallel
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
Memory Organization512M x 8

Механические

КорпусBulk
Package / CaseDie
Корпус производителяDie

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 105°C (TC)