MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR

Micron Technology Inc

MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR

Память и хранение данных

IC FLASH 3TBIT PARALLEL 267MHZ

В производствеПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияFLASH - NAND
Базовый Part NumberMT29F3T08
ПроизводительMicron Technology Inc.
Product StatusActive

Электрические

Объем памяти3Tbit
Формат памятиFLASH
Memory InterfaceParallel
Тактовая частота267 MHz
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
Memory Organization384G x 8

Механические

КорпусTape & Reel (TR)

Среда

Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)