MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R

Micron Technology Inc

MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R

Память и хранение данных

IC FLASH 256GBIT PARALLEL DIE

В производствеDieПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияFLASH - NAND (MLC)
Базовый Part NumberMT29F256G08
ПроизводительMicron Technology Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive

Электрические

Объем памяти256Gbit
Формат памятиFLASH
Memory InterfaceParallel
Напряжение питания2.5V ~ 3.6V
Memory Organization32G x 8

Механические

КорпусBulk
Package / CaseDie
Корпус производителяDie

Среда

Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)