MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR

Micron Technology Inc

MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR

Память и хранение данных

IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA

В производствеПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияFLASH - NAND
Базовый Part NumberMT29F1G08
ПроизводительMicron Technology Inc.
Product StatusActive

Электрические

Объем памяти1Gbit
Формат памятиFLASH
Memory InterfaceParallel
Напряжение питания1.7V ~ 1.95V
Memory Organization128M x 8

Механические

КорпусTape & Reel (TR)

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)