VP2206N2

Microchip Technology

VP2206N2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 60V 750MA TO39

В производствеTO-205AD, TO-39-3 Metal CanАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 3.5A, 10V
Базовый Part NumberVP2206
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 25 V
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 10mA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C750mA (Tj)
Макс. рассеиваемая мощность360mW (Tc)

Механические

КорпусBag
Package / CaseTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Корпус производителяTO-39

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)