TP5322N8-G

Microchip Technology

TP5322N8-G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 220V 260MA TO243AA

В производствеTO-243AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs12Ohm @ 200mA, 10V
Базовый Part NumberTP5322
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds110 pF @ 25 V
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток220 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C260mA (Tj)
Макс. рассеиваемая мощность1.6W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-243AA
Корпус производителяTO-243AA (SOT-89)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)