Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 1A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | TN5325 |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 25 V |
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 250 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150mA (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 360mW (Ta) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-236AB (SOT23) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TA) |
|---|