TN2130K1-G

Microchip Technology

TN2130K1-G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs25Ohm @ 120mA, 4.5V
Базовый Part NumberTN2130
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 25 V
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C85mA (Tj)
Макс. рассеиваемая мощность360mW (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяTO-236AB (SOT23)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)