TN0610N3-G

Microchip Technology

TN0610N3-G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3

В производствеTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 750mA, 10V
Базовый Part NumberTN0610
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 25 V
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Tj)
Макс. рассеиваемая мощность1W (Tc)

Механические

КорпусBag
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус производителяTO-92-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)