MSCSM120HM31CTBL2NG

Microchip Technology

MSCSM120HM31CTBL2NG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SIC 4N-CH 1200V 79A

В производствеModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 40A, 20V
Базовый Part NumberMSCSM120
Конфигурация4 N-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs232nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3020pF @ 1000V
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
ТехнологияSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C79A
Power - Max310W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseModule

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)