MSCSM120DDUM16TBL3NG

Microchip Technology

MSCSM120DDUM16TBL3NG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SIC 4N-CH 1200V 150A

В производствеModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 80A, 20V
Базовый Part NumberMSCSM120
Конфигурация4 N-Channel, Common Source
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs464nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6040pF @ 1000V
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаChassis Mount
УпаковкаBulk
Статус позицииВ производстве
ТехнологияSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 6mA

Электрические

Напряжение сток-исток1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A
Power - Max560W

Механические

Package / CaseModule

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)