Общие
| Базовый Part Number | MSCDC100 |
|---|---|
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 700 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 100 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 400 µA @ 700 V |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Механические
| Корпус | Box |
|---|---|
| Package / Case | Module |
| Корпус производителя | D1P |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
|---|